全球IC设计大厂高通 (Qualcomm) 推出第三代LTE芯片组MDM8225、MDM9225以及MDM9625，此三款芯片组将是首批可同时支持HSPA+ Release 10标准及新一代LTE Advanced行动宽带标准，使电信营运商在其LTE服务区域内可提供更高的宽带速度，与前几代芯片组相较，此批芯片改善幅度更大，其可支持多种行动宽带技术，为智能型手机、平板计算机、超轻薄笔电、行动热点、行动调制解调器与客户端设备提供业界最佳的行动宽带体验。

高通表示，此批芯片组采用28奈米制程技术，将于2012年第四季开始送样。

LTE载波聚合技术可在不同频段中结合多重无线电频道，是提升使用者数据传输率的重要技术，不仅可减少延迟，也可在不需使用连续20 MHz频谱状况下，为电信营营运商提供LTE Category 4标准的特色。MDM9225与MDM9625芯片组是目前唯一可支持载波聚合技术的行动宽带芯片组，能让OEM厂商开发可完全支持LTE Advanced网络的行动装置。

此外，MDM9225与MDM9625芯片组是高通第三代LTE调制解调器芯片组，除了可支持LTE Advanced与HSPA+ Release 10标准外 (包括传输速率84 Mbps的双载波HSDPA)，也可向下兼容于其它技术标准，如EV-DO Advanced、TD-SCDMA与GSM等。此两款芯片组亦包含业界唯一整合CDMA2000 (1X与DO)、GSM/EDGE、UMTS (WCDMA与TD-SCDMA)、与LTE (LTE-FDD与LTE-TDD) 等七种不同无线电存取模式的单一基频调制解调器芯片，协助OEM厂商设计出可适用于全球不同无线网络型态的行动装置。

高通产品管理资深副总裁Cristiano Amon表示，高通最新一代的芯片组除了可支持最新的行动宽带技术外，这些芯片组也较高通以往7-mode 28奈米LTE芯片组 (MDM9x15系列) ，提供更低的耗电量与完整的联机覆盖区域，可让OEM厂商设计出更小、更炫以及电池效力更长的装置。