全球半导体龙头英特尔(Intel)十日公布了新一代行动芯片的设计细节，试图展现该公司想要在行动运算市场迎头赶上的企图心。

自去年三维晶体管(three-dimensional transistor)，或英特尔所称的三闸极(Tri-gate)晶体管技术，被导入行动芯片后，其效能与功耗都有显著改善，而刚公布的技术文件显示，英特尔在此方面，似乎也有所突破。在此之前，英特尔尚未在其设计的行动芯片上使用类似技术。

新芯片在制程上除了采用22奈米工艺技术打造外，还将采用新的单芯片系统(System-on-a-Chip，简称SoCs)来减少芯片体积，英特尔宣称，此项技术将使新芯片，在处理速度上，较现有的32奈米芯片提升22%至65%。

英特尔早已在个人计算机处理器上使用22奈米技术，但由于SoCs将整合更多的功能在单一芯片上，因此要将之应用在手机或平板计算机芯片上，会有一定的难度。市场顾问公司Moor Insights & Strategy研究专员Patrick Moorhead预估，新芯片最快会在2013年下半年问世。

尽管英特尔工艺技术能力毋庸置疑，但许多分析师还是不看好，其行动芯片可以与高通(Qualcomm)、苹果、或其它安谋(ARM)所授权的芯片制造商抗衡。