随着原厂NAND Flash工艺向1znm推进，接近物理量产极限的NAND Flash性能和成本缺乏竞争力，2D NAND技术瓶颈越发凸显。三星最早投入3D技术研发，东芝、美光、SK 海力士等将在2016年开始大规模量产3D NAND，正式拉开3D NAND进入市场的序幕。

近日据韩媒报导，SK海力士位于韩国京畿道利川的M14厂正在加速二楼无尘室的建设，施工结束后会立刻进行设备搬迁，预计最快在2016年第3季投入3D NAND量产。据业内人士表示，目前M14厂一楼以生产20nm DRAM为主，二楼准备就绪后将投入3D NAND量产。

三星在2013年投入3D NAND量产，并在大陆西安厂新建3D NAND量产专用工厂；东芝/闪迪除在Fab 5二期工厂生产3D NAND，还把Fab 2改成3D NAND量产专用，2016年投入48层3D NAND量产；美光则投资40亿美金新建Fab 10x工厂量产下一代3D NAND；英特尔则把大连厂改为存储芯片厂，预计将量产最新研发的3D Xpoint；SK海力士第二代36层3D NAND会在12月底完成开发，计划2016年初在M11、M12投产，M14工厂从下半年开始投入生产。

三星3D技术最为成熟，最初的24层3D NAND与1xnm 2D NAND相比并没有成本优势，随着3D技术的发展，32层TLC 3D NAND成本基本介于1xnm与1ynm TLC 2D NAND之间，2015年投入量产的48层3D NAND将NAND Flash Die 容量提升至256Gb，成本优势也开始逐渐显现，这也促使东芝、美光、SK 海力士等加快3D NAND升级到48层TLC进行量产。

与2D工艺相比，3D技术具有更高的速度，更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量，三星3D NAND大量用于SSD，且三星850 系列SSD被市场广泛认可，也因此市场对于3D NAND接受意愿增加，再加上原厂大规模在2016年投入3D NAND量产，预计2016年底3D NAND市场占有率将达20%，2018年可提升到45%，逐渐成为NAND Flash主流应用。