2015年Flash原厂三星、东芝/SanDisk、美光、SK 海力士的NAND Flash全面向1ynm TLC规模量产，为了进一步降低成本，接下来原厂将在2016年向1znm制程转进。

据中国闪存市场网ChinaFlashMarket了解，三星NAND工艺在2015下半年就进入了14nm，预计2016年将大量应用到主流eMMC、SSD等闪存产品上。

与16nm相比，14nm浮动闸极（floating gate）面积减少12.5%，这意味着每片Wafer晶圆的NAND Flash芯片产出将增加，从而降低生产成本，使得NAND Flash更具价格竞争力。除了三星，SK 海力士也在积极准备进入14nm，根据SK海力士制程规划，2015年底完成14nm研发，2016年进入量产阶段。

NAND Flash以在浮动闸极中存放或移出电子(Electron)区分1和0，并藉此读写与消除资料。若电路线宽更加细微，浮动闸极的面积也会跟着缩小，导致能储存的电子个数减少。而浮动闸极面积持续缩小，可能经常发生资料读写错误的情况，也让研发难度更高。15-16nm工艺可以在浮动闸极上储存的电子数不到10个，而14nm则将会更少。根据估算2D Flash技术大概基本可量产的极限工艺在8-10nm，14nm更接近物理极限量产已增加了不少技术难度。

由于更接近物理极限的NAND Flash所获得的效能未必能更好的提高收益，这使得原厂加速研发新技术和扩大2016年3D NAND量产。出于成本和技术考虑，以及生产更好性能的NAND Flash，预计东芝/SanDisk、美光等可能直接切换到3D NAND生产，即使进入1znm工艺也要等到2016下半年才能稳定量产。

值得注意的是，2015年NAND Flash持续下滑，导致部分闪存产品已逼近成本价，14nm工艺NAND Flash具有更低的生产成本，这将对2016年NAND Flash价格带来一定的压力。