2015年智能型手机需求成长放缓，平板出货下滑，PC市场需求持续不振，再加上NAND Flash和DRAM价格双双下滑，让大部分供应链存储厂商营收成长面临挑战，SK海力士作为DRAM和NAND Flash原厂，营收自然也受到了一定的冲击。

昨日（1月26日）SK海力士2015年Q4财报中指出，由于市场需求疲软，DRAM bit增长低于原本预估值，再加上NAND Flash价格持续下滑，导致Q4季营收环比下滑10%，净利环比下滑17%，与2014年同期比较，营收和净利分别下滑14%和46%。

SK海力士(SK Hynix)社长朴星昱认为，中国地区经济成长钝化，再加上新兴国家的经济和金融不安等环境影响，全球景气仍存在太多的不确定性，2016年Memory市场依然可能呈现需求成长趋缓的市况，SK海力士需要以更高的热情和更多的创新去面对Memory市场危机。

虽然智能型手机需求成长趋缓，但是市场需求量大，2015年中高端旗舰机型向64位、八核更高规格发展，加速Mobile DRAM主流由LPDDR2向LPDDR3升级，苹果iPhone 6s/Plus和三星Galaxy S6/Edged高端旗舰机则向LPDDR4提升，预计在2016年LPDDR4将逐渐成为中高端智能型手机主流应用，且容量将向4GB提升。

数据来源：SK海力士2015年Q4财报

SK海力士(SK Hynix)社长朴星昱透露，随着智能型手机对Mobile DRAM需求的增加，2016年除扩大20nm等级DRAM生产比重以加强获利外，还将研发出10纳米级DRAM，并将提升DDR4、LPDDR4等高阶产品的销售比重，以及研发14nm 2D NAND和正式量产48层3D NAND，计划透过领先的技术研发，提升根本的竞争力，同时加强投资支出提高成长力量，巩固市场地位。