2015年原厂1ynm TLC扩大量产，NAND Flash产量增加30%，成本降低20%

Flash原厂主要是三星、东芝/闪迪、美光、SK 海力士，三星2014下半年就以16nm TLC/MLC量产，2015年提高16nm TLC量产规模，由于16nm TLC 128Gb较东芝15nm TLC 128Gb在闪存卡和U盘价格上没有竞争力，所以大量用于eMCP/eMMC，并从下半年开始转进14nm量产。东芝/闪迪2015上半年由A19nm向15nm转换，其中15nm MLC主要用于eMMC和SSD生产，15nm TLC满足闪存卡、U盘等大容量需求。

美光2015上半年是由18nm全面转向16nm，16nm MLC L94C和L95B满足eMMC和SSD需求，16nm TLC B95A和B95B增强了LDPC ECC纠错能力，并将16nm TLC用于自家SSD中。SK海力士技术提升比较快，2015年基本已转入16nm MLC/TLC工艺量产，由于16nm 128Gb TLC品质稳定，除了获得苹果iPhone采用，还用于供应其它厂商TLC SSD生产，并规划在2016年初向14nm转进，进一步提高NAND Flash产量。

2014年1ynm MLC较1xnm MLC每片Wafer晶圆Flash Die产出可增加25%，2015年Flash原厂全面向1ynm TLC规模化量产，与1ynm MLC比较，每片晶圆Flash Die产量可增加30%，成本下滑20%。以三星工艺技术为例，一个12吋晶圆，三星采用16nm工艺大约切割出750片的64Gb MLC Flash Die，同样采用16nm工艺大约切割出1000片的64Gb TLC Flash Die，每片晶圆产能增加33%，成本降低20%，这也是2015年NAND Flash价格快速下滑的主因。

2016年48层3D技术渐显成本优势，将续写NAND摩尔定律

随着原厂NAND Flash工艺向1znm推进，NAND Flash良率、性能等受到影响，单颗NAND Flash Die容量也很难突破128Gb。为了降低成本提高市场竞争力，以及生产更好性能的NAND Flash，三星最早在2013年推出24层3D NAND，2015上半年3D NAND以32层TLC量产为主，Q4开始投入48层TLC量产，并将NAND Flash Die容量提高至256Gb，推出高达1.6TB的SSD，规划2016年底实现64层TLC量产。三星3D NAND除了在大陆西安厂投产，2015上半年还宣布投资150亿美金在韩国平泽市新建工厂，主要用于2D 10nm量产和3D技术的发展，预计2017年投入生产。

东芝/闪迪在2015下半年有48层3D NAND样品，除在Fab 5二期工厂生产3D NAND，还把Fab 2改成3D NAND量产的专用工厂，预计2016年开始投入生产；美光从2015年Q2在新加坡工厂少量生产32层MLC 3D NAND，而且还投资40亿美金在新加坡新建Fab 10x工厂，为2016年量产下一代3D NAND准备，预估满载月产能大约14万片；SK 海力士也新建了一座M14工厂，将于2016年生产20nm DRAM和3D NAND。

与2D工艺相比，3D技术具有更高的速度，更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量，但三星32层TLC 3D NAND成本仅介于2D 19nm TLC与16nm TLC之间，缺乏竞争力。2016年3D技术进入48层256Gb TLC NAND，再加上Flash原厂3D NAND相续投产竞争下，3D技术将越来越有成本优势，预计2016年底3D NAND市场占有率将达20%，2018年将提高到45%，逐渐成为NAND Flash主流。

更多精彩内容见《2015年闪存市场产业分析报告》完整版

获取中国闪存市场年度分析报告《2015年闪存市场产业分析报告》，需下载申请表，然后发送至我司邮箱，经我司审核后方可阅览。
联系Email：Service@Chinaflashmarket.com

申请表下载