2015年中国政府加强对集成电路产业发展的重视，并将半导体领域作为重点发展项目，目前国家大基金以及各地方出台了相对应的扶持政策，武汉新芯获得国家集成电路产业发展基金以及地方政府的大力支持，计划建设国家存储器基地，预计新工厂的建设将在3月28日举行动土仪式，以配合国家在半导体领域发展的政策。

据悉，国家大基金与湖北地方政府资金已于二月底到位，武汉新芯将于3月 28 日举行新工厂动土仪式，并发出了邀请函。从邀请函内容显示，新的厂区将落户于武汉东湖新技术开发区，项目投资总金额高达240 亿美元，该工厂预计主要以生产Flash、DRAM等存储芯片为主，以及发展3D NAND技术。

随着2D NAND Flash技术发展瓶颈越发凸显，三星、东芝、SK海力士、英特尔均为其3D NAND技术的发展投资建设或将要建设工厂，在Flash技术向3D技术切入的拐点，或给中国在NAND Flash领域的发展带来契机。武汉新芯也曾表示，3D NAND技术开始兴起，正好是中国存储产业弯道超车的切入点，也会自然把3D NAND技术的发展作为重点规划。

武汉新芯目标是将在2017年底或2018年初推出3D NAND产品以进入存储领域，虽然目前还无法赶上国际存储器大厂的水平，但是武汉新芯将作为一个长期发展目标，该新厂建成后产能也将达到20-30万片，未来将打造至少2座以上晶圆厂作为存储器制造基地。