三星宣布大规模量产10nm级8Gb DDR4 DRAM
Helan 2016-04-05 19:14三星在今天宣布开始大规模量产业内第一款10nm级8Gb DDR4,这是三星在2014年第一次量产20nm级4Gb DDR3之后的又一个里程碑,而三星更先进的制程工艺将进一步推动成本下滑,以及推动市场向DDR4切换。

三星的内存业务总裁,杨贤君表示:“三星的10nm级DRAM使IT系统的运行效率达到最高的水平,将成为全球存储业全新的增长动力。在不久的将来,我们还将推出下一代10nm级高密度的Mobile DRAM产品,以帮助手机制造商发展更多的创新产品,增加移动用户的便利性。
相较于20nm 8Gb DDR4,三星10nm 8Gb DDR4产能将提高30%,速率提高30%(从20nm的2400Mbps上升到3200Mbps),同时功耗降低10%~20%。这些优势都将大大提高下一代消费类市场的高性能个人电脑和服务器市场的大型企业网络的数据传输效率。
基于先进的10nm级DDR4产品的发展,三星预计将很快将10nm工艺用于Mobile DRAM,更加巩固三星在高性能智能手机市场的领先地位。