存储器产业整合，外界本以为三大厂能和平共存，坐享更高获利，没想到三星电子趁着对手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)转进20nm不顺之际，增产抢市占，意图赶尽杀绝。Bernstein Research悲观预测，三星下手太狠，DRAM恐怕只剩三星一家独活。

巴伦(Barronˋs)网站两篇报导指出，Bernstein分析师Mark Newman表示，制程微缩难度高，美光和SK海力士都在20nm遇到瓶颈，原先预期存储器产出将因此大减，没想到三星在一旁虎视眈眈，趁着对手碰壁时，夺取市占。DRAM仅剩三大厂，通常产业整合后，大家会较为节制，结果三星非但没松手，还想把DRAM市占从当前的40%、提高至近50%。

三星透过拉大技术差距，抢下市占，DRAM方面，三星增加20nm产出、并将扩大量产18nm。在NAND领域也强化了3D NAND的领先地位。Newman痛批，三星行为投机、比预想更为激烈，完全不顾对手，或许会永久摧毁同业间的信任感。他估计，三星可能是DRAM业的唯一幸存者。

存储器业者自相残杀，等到中国厂商进入市场，情况将急转直下。报告称，中国可能是足以颠覆市场的竞争者，他们财力雄厚，等到供给上线后，市况将惨不忍睹。武汉新芯(XMC)的3D NAND技术大约落后领先厂商4~5年，他们打算狂烧资本加紧追赶，等到量产之后，市场供给过剩将更加恶化。

韩媒3月底报导，业界人士透露，三星韩国华城工厂生产的18nm DRAM，已经开始出货，将供货给苹果。消息人士说，两年前三星率先量产20nm DRAM，如今三星再次领先业界，第一个商用化18nm DRAM。据了解，18nm DRAM初期产量不大，三星已经增订设备，预计夏天过后产量将会增加。早期供货主要用于PC，之后将生产服务器和移动设备用的DRAM。

报导称，三星量产18nm DRAM，生产成本的竞争优势拉大，就算DRAM价格继续下滑，其他业者陷入亏损，三星仍能维持获利。Daishin Securities研究员Kim Kyung-min说，由结果看来，韩厂和美光科技落差极大。美光DRAM技术落后三星两年以上，恐需忧虑是否会立刻出现亏损。