Bernstein Research先前痛批三星电子心狠手辣，意图在存储界赶尽杀绝，铲除SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)，剩下一家独大。对此，Brean Capital看法不同，Brean Capital较为乐观，认为业者为了追求利润，DRAM和NAND Flash产出不致失控；并指出智能机的存储需求大增，价格将逐渐回稳。

巴伦(Barronˋs)网站、韩媒etnews报导，Brean Capital的Mike Burton表示，英特尔的大连工厂改为3D NAND Flash厂，预定今年下半投产。由于三星已经开始生产3D NAND，其他业者也陆续跟进，不少人担心可能会供给过剩。Burton认为，各厂应会有所节制，携手追求最大利润。

Burton并指出，目前只有三星有能力制造3D NAND，其他业者要到今年下半才开始生产。3D NAND采用较旧制程(35~50nm)，业者能以较低成本、提高产能。英特尔主管David Lundell表示，预计大连厂会在今年底量产3D NAND。

DRAM方面，Burton预期需求飙升，价格将逐渐稳定。举例而言，苹果iPhone 6s内建DRAM加倍，增至2GB。iPad Pro内存也增至4GB。高阶Android机种内存达3GB，三星S7更内建4GB DRAM。

巴伦(Barronˋs)网站两篇报导指出，Bernstein分析师Mark Newman表示，制程微缩难度高，美光和SK海力士都在20nm遇到瓶颈，原先预期内存产出将因此大减，没想到三星在一旁虎视眈眈，趁着对手碰壁时，夺取市占。DRAM仅剩三大厂，通常产业整合后，大家会较为节制，结果三星非但没松手，还想把DRAM市占从当前的40%、提高至近50%。

三星透过拉大技术差距，抢下市占，DRAM方面，三星增加20nm产出、并将扩大量产18nm。在NAND领域也强化了3D NAND的领先地位。Newman痛批，三星行为投机、比预想更为激烈，完全不顾对手，或许会永久摧毁同业间的信任感。他估计，三星可能是DRAM业的唯一幸存者。