三星电子认清现实，不打算牺牲利润抢市占了？ RBC Capital Markets预估，存储器价格惨跌，三星将狠删31%资本开支，暗示三星应该不会大幅扩产，存储器业有望回稳。

韩国时报报导，RBC资深分析师Amit Daryanani 18日报告称，今年全球存储器资本开支将年减4%、至502亿美元。其中减幅最大的是三星，资本开支将年减31%、约40亿美元。RBC估计，三星DRAM产线70%转为20nm制程之后，DRAM资本开支会减少26亿美元。NAND Flash方面，RBC估计，等到三星西安NAND厂上线之后，NAND资本开支也会减至10亿美元。

与此同时，另一韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)应该也会跟进。Daryanani表示，SK海力士会投资DRAM转进20nm，但是不太可能大幅投资3D NAND，因为当前平均售价不高、技术挑战又多。

报告称，大环境不佳，半导体销售下滑，会压缩设备投资。三星和SK海力士都将在本月底公布第一季财报，届时会一并说明投资计划。

Brean Capital看法也与RBC类似，认为存储器业将逐渐恢复平衡。巴伦(Barronˋs)网站、韩媒etnews报导，Bernstein Research先前痛批三星电子心狠手辣，意图在存储器界赶尽杀绝，铲除SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)，剩下一家独大。对此，Brean Capital看法不同，Brean Capital较为乐观，认为业者为了追求利润，DRAM和NAND Flash产出不致失控；并指出智能机的存储器需求大增，价格将逐渐回稳。

Brean Capital的Mike Burton出，目前只有三星有能力制造3D NAND，其他业者要到今年下半才开始生产。3D NAND采用较旧制程(35~50nm)，业者能以较低成本、提高产能。英特尔主管David Lundell表示，预计大连厂会在今年底量产3D NAND。DRAM方面，Burton预期需求飙升，价格将逐渐稳定。举例而言，苹果iPhone 6s内建DRAM加倍、增至2GB，高阶Android机种存储器达3GB。