随着智能型手机功能的越来越强大，用户需要更大的存储容量存应用程序和资料，再加上用户对电影、照片等超高清画质的要求，手机存储空间依然不够用。

为了给用户、专业级玩家提供超大容量的存储空间，高分辨率摄影和4K视频录制，以及满足图形处理密集型的多媒体虚拟现实和游戏任务，2016年已有很多旗舰机增加128GB容量选择，比如：Galaxy S7、乐视Max Pro、小米5、vivo Xplay 5、OPPO R9 Plus等。

随着3D NAND技术的发展，三星2016年将扩大48层3D NAND量产，并计划在年底实现64层TLC V-NAND量产，而基于48层3D NAND技术，NAND Flash容量可提高至256Gb。基于3D NAND容量和高性能优势，三星已全面将V-NAND应用到SSD中，如今正在加快导入到嵌入式产品UFS和闪存卡中应用。

据悉，2016年初三星推出基于V-NAND的业界首款256GB容量的嵌入式存储产品UFS 2.0，最高顺序读写速度分别为850MB/s和260MB/s，可超SATA SSD的读速度。昨日三星又发布了业界首款基于V-NAND的256GB容量Micro SD闪存卡，提供了高达95MB/s和90MB/s的读写速度，可供用户存储5.52万张照片，或是录制12个小时时长的4K超高清视频、或2.35万首MP3歌曲，将在6月份正式发售。

在三星256GB容量UFS 2.0和Micro SD的推动下，预计高端智能型手机将很快出现256GB大容量选择，而市场也有传言称三星Galaxy Note 6、iPhone 7/Plus将配备256GB容量，其中三星48层V-NAND已经通过了苹果认证，预计将在Q3开始给苹果供货。那么，可以预见未来64GB、128GB、256GB将成为旗舰机标配容量。