韩媒ChosunBiz消息，Crossbar采用中芯国际的40奈米制程量产ReRAM，Crossbar已向部分客户企业提供样品，一旦完成追加验证测试，便会投入量产，使ReRAM加速商用化脚步。

随着技术的不断发展，一般10nm以下制程需要缩小晶体管体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合采用高介电常数(High-K)材料和电极，一些新的存储器技术，比如：3D NAND、3D XPoint 、MRAM、ReRAM等备受期待。

2016年NAND Flash工艺发展到14/15nm已是极限，所以各Flash原厂纷纷加快向3D NAND切换，DRAM工艺也正在向1ynm发展，正在逼近可量产的10nm物理极限，这也促使三星、SK海力士、美光等纷纷加快研发新型存储器技术。

ReRAM为一种利用电阻的非挥发性内存，施予特定电压后，可由关(Off)的状态变为开(On)的状态。ReRAM较NAND Flash反应速度快1,900倍，写入速度约快20倍，生产制程相对较简单，且理论上工艺可以做到10nm以下制程。

业界人士预测，Crossbar首次量产的ReRAM性能应尚未达理论上最高值，也尽管ReRAM目前仍无法取代数据传送速度较快的DRAM功能，但ReRAM的数据读写速度，则较NAND Flash性能优越。ReRAM若要追上NAND Flash，生产制程需从现在的40奈米缩小至20奈米以下。而目前Crossbar正准备量产40nm ReRAM。