DRAM、NAND传出供给吃紧的现象，而美光股价也一路登高。

barron`s.com报导，RW Baird分析师Tristan Gerra发表研究报告指出，根据他在亚洲的调查，DRAM供给正在逐渐吃紧，DRAM、NAND的订价则有望在Q3出现1-4%的成长率。

报告称，DRAM供给吃紧、报价也会在Q2和Q3呈现季增；其中PC内建的DRAM容量预料会在今(2017)年增加10%、服务器则会增加25%。另外，64层3D NAND扩产速度低于预期，下半年应该会让市况持续出现短缺。

东芝决定出售Memory事业，但竞标者众、过程冗长，可能让NAND存储继续短缺。韩联社5月24日报导，Shinhan Investment研究员Choi Do-yeon发表研究报告指出，东芝的3D NAND投资计划势必将因此延后，这会让供给短缺更形恶化，也为三星电子、SK海力士制造更多扩产良机。

另一方面，三星电子率先量产18nm DRAM，把同业抛在脑后。竞争对手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)则不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。

Nikkei Asian Review、BusinessKorea报导，三星是DRAM龙头，制程领先对手1~2年，2016年下半首先量产18nm DRAM，计划今年下半推进至15nm。IHS Markit估计，今年底为止，三星打算把18nm DRAM的生产比重，提高至30%。业界人士说，三星会以利润优先，不会扩产抢市，打乱价格。

三星一马当先，DRAM第三大厂美光拼命追赶，计划未来两三年砸下20亿美元，研发13nm DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。进入13nm制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18nm DRAM。

与此同时，SK海力士也准备在今年下半量产电脑用的18nm DRAM，接着再投入移动设备用的18nm DRAM。SK海力士会优先提高21nm制程良率，之后转进20nm、再转向18nm。SK海力士人员透露，该公司正在研发1y DRAM制程，但是还不确定量产时间。