据The Investor报导，由于担忧中美贸易战升级所带来的负面影响，传SK海力士计划放慢其中国工厂生产步伐。

SK海力士公司曾于4月18 日宣布无锡制造工厂（C2F）完成扩建。C2F是无锡现有DRAM生产线C2的扩展，原计划于第三季度启动全面运营，主要用于生产先进的10nm级DRAM技术，预估每月可生产18万片12英寸Wafer。

据最新消息，一位不愿透露姓名的业内人士表示:“由于市场环境不利，C2F全面加速的时间表被推迟了。”推迟时间与华为等中国合作伙伴的存储芯片需求下降相符。

对于SK海力士来说，DRAM芯片价格的不断下跌可能会造成双重打击。因为DRAM是SK海力士的主要业务，约占其全部营收的80%，NAND Flash业务仅占18%。Meritz分析师Kim Sun-woo表示，“SK海力士一直在用DRAM业务的利润来弥补NAND Flash业务带来的损失，而现在它将无法应对第四季度的损失。”