韩媒报道，近日，韩国科学和信息通信技术部宣布将在未来五年内提供117亿韩元的投资支持用于5nm以下半导体光刻工艺材料和设备的研发。包含私人投资在内总的投资额将达136亿韩元。

近年来，尽管韩国的大型半导体公司已经在量产中开始导入了EUV光刻技术，但是该技术的材料和设备基础仍然薄弱，预计这项投资将是扩大国内EUV研发生态系统基础的机会。

该项目的主要目标是本地化EUV光刻过程必不可少的材料技术，具体而言，用于EUV光刻的空白掩膜板和防护膜是开发的主要内容。

空白掩模板是指在曝光工艺中使用的掩模上雕刻电路形状之前处于平坦状态的掩模。与透射式氟化氩（ArF）曝光工艺不同，EUV掩模通过“反射”易于被所有材料吸收的EUV光源，需要高水平的技术。目前，日本公司正在引领潮流，但是全球第一大设备制造商应用材料公司（Applied Materials）在开始开发相关技术时被认为是一个充满希望的市场。

EUV防护膜是一种可以防止污染的保护层。当使用防护膜时，降低了缺陷率并且减少了掩模更换的数量，从而降低了成本。但是，EUV产品的商业化预计将需要时间。