韩媒报道，韩国科学技术研究院已经开发出一种磁阻随机存取存储器（MRAM），该存储器消耗的功率极低，但旋转方向改变的速度很高。

该研究团队由自旋收敛研究小组的Lee Ki-young博士和下一代半导体研究所能源材料研究小组的负责人Son Ji-won领导。

该团队可以通过在MRAM中添加一层用于注入氢离子的方法来大幅提高自旋方向变化的速度，同时降低功耗。

MRAM作为下一代存储器备受关注，因为它们结合了可以快速处理数据的DRAM和即使断电也不会丢失数据且具有高能效的闪存的优势。

与基于电流的存储设备不同，MRAM通过利用磁特性来更快，更可靠地存储信息。但是，它们存在功耗过大的缺点。结果，需要开发在消耗更多功率的同时存储更多数据的下一代存储器。

KIST研究团队通过将氧化钇稳定的氧化锆（YSZ）层添加到MRAM和注入中，该层具有高离子电导率并被用作固体氧化物电池（SOFC）中的电解质，从而将自旋对准方向的改变速度提高了100倍。

Lee说：“随着原型的开发，MRAM目前正处于商业化阶段。MRAM可以取代当前市场结构中的现有存储器。由于它们具有下一代非易失性存储设备中的最佳特性，因此它们很可能被商业化。”