根据市调机构数据，随着5G、电动汽车和工业设施等SiC和GaN等化合物半导体的应用全面展开，功率和化合物半导体设备市场将同比增长59％。

由于例如碳化硅（4H-SiC）和氮化镓（GaN）之类的宽带隙材料的带隙分别为3.4eV和3.2eV，高于硅的1.1eV。所以化合物半导体所能承受的电压比硅基半导体大10倍，因此它们被用于5G，工业设备和电动汽车。

SEMI预计，到2021年，功率和化合物半导体设备的支出将达到69亿美元，同比增长59％。

市场研究公司Yole预测，SiC功率半导体市场将以29％的复合年增长率增长，到2024年将达到20亿美元。我们指出，晶圆生产技术是化合物半导体制造中的重要考虑因素。通过在衬底上生长（通过MOCVD）GaN外延层来生产GaN半导体。SiC外延晶片是通过在抛光晶片上沉积SiC单晶层（厚度为几微米）制成的。

在韩国，Cree，Rohm，STMicro，Veeco和RFHIC都在投资化合物半导体。

SiC晶片由Cree，Infineon和Rohm等多家公司生产。在韩国，已经收购了杜邦（Dupont）的SiC晶圆部门的SK Siltron正在投资SiC领域。鉴于SiC晶圆目前供不应求，Cree计划到2024年将其产能提高30倍，并投资10亿美元以支持其GaN业务。

STMicro的SiC芯片组相关销售额在2019年达到2亿美元，意法半导体的目标是到2025年达到10亿美元。与此同时，Veeco生产用于GaN晶体管沉积工艺的MOCVD设备，而RFHIC是与国内GaN芯片组相关的产品公司生产用于通信和国防目的的GaN晶体管。