据韩媒报道，韩国半导体设备供应商Isol正在开发可精确测量下一代EUV掩模“相位移掩模（PSM）”性能的测量设备，并计划利用其专利技术将该设备商业化。

在半导体制造中，需要“曝光”工艺，该工艺用光将电路形状压印在晶片上。另外，被称为“掩模”的部分对于曝光过程是必不可少的。该方法是使光穿过刻有大电路形状的掩模以到达晶片的方法。

EUV工艺中使用的掩模结构是一种超精细的曝光工艺，与现有工艺不同。EUV光被所有材料吸收，因此需要“反射型”掩模。反射掩模分为反射光以形成电路形状的部分和吸收光以形成暗空间的吸收体。

业界声称，当前的EUV掩模无法在5nm以下的超精细工艺中准确地成膜电路。这是因为电路之间的宽度越窄，反射光的干涉就越大，使得难以光刻出正确的电路形状。

相移掩模（PSM）则可以用来解决这个问题，PSM由在光中产生相位差的材料制成，该光会产生相邻电路的形状。现有的掩模吸收或反射100％的EUV光，但是PSM为到达电路的光提供了不同的相位差，因此即使在精细电路中，它也可以具有清晰的对比度。

PSM的商业化还有很长的路要走，英特尔和ASML等全球半导体公司也认识到PSM的重要性，韩国也有研究团队致力于这方面的研究。

然而，由于PSM产生的相位目前还不能被准确测量，因此，高技术现在还不能被量化控制。Isol是全球第一个开发设备以促进PSM发展的公司。