佳能将在2020年7月上旬发售半导体光刻机的新产品——面向后道工序的i线2步进式光刻机“FPA-8000iW”。该产品具备对应尺寸最大到515×510mm大型方形基板的能力以及1.0微米3的高解像力。

该款新产品是佳能半导体光刻机产品线中，首个可对应大型方形基板的面向后道工序的光刻机。该产品配备佳能自主研发的投影光学系统，在实现大视场曝光的同时，还能达到1.0微米的高解像力。因此，在使用可降低数据中心CPU或GPU等能耗的有机基板的PLP4封装工艺中，新产品将可以实现使用515×510mm大型方形基板进行高效生产的用户需求。由于该产品具有高解像力、大视场曝光性能以及高产能，因此在实现半导体封装5的进一步细微化和大型化的同时，还可以降低成本。

■ 可满足高产能大型基板的封装需求

为了满足使用方形基板进行封装工艺的需求，佳能开发了可以搬送515×510mm大型方形基板的新平台。另外，针对在大型方形基板上容易发生的基板翘曲的问题，通过搭载新的搬送系统，可在矫正10mm大翘曲的状态下进行曝光。因此，新产品实现了高效生产大型半导体芯片的PLP工艺，可应对要求高产能的用户需求。

■ 实现1.0微米的解像力，对应高端封装

佳能自主研发的投影光学系统可实现52×68mm的大视场曝光，达到了方形基板封装光刻机中高标准的1.0微米解像力。因此，实现了应对半导体芯片的高集成化、薄型化需求的PLP等高端封装工艺，且可满足各种用户需求。