力晶科技创办人黄崇仁表示，力晶集团将与爱普一起携手，双方各拥有不同DRAM技术的专利，结合设计与制造的双强，将迈大步进军5G、AI市场。

爱普从前年即开始投入研发资源，开发 3D AI Memory 异质多芯片封装技术，负责高性能客制化 DRAM 的设计及 DRAM 逻辑接口 IP 服务。目前爱普3D AI DRAM已得到晶圆代工厂与多家客户支持，将与力晶旗下晶圆代工厂力积电合作，正进行工程样品测试中。

黄崇仁表示，力晶与爱普合作，将会在DRAM领域上积极整合，尤其是3D应用的整合，可以很顺利的发展，现在双方都有专利，爱普也有IP可以把DRAM变成应用目标，力晶将全力支持爱普发展各种IP，互补互利。
 
黄崇仁进一步强调，爱普积极推进下一代人工智能 AI 所需的 Memory 架构，首先是逻辑与DRAM整合一个IC（intra memory）。其次是把DRAM与逻辑芯片堆栈在一起的技术，可以把带宽与指令周期变大，同时具有低功耗的特质。

另外，就是3D的技术。高性能运算的封装技术已从 2D 提升至 2.5D，并朝 3D 发展，所谓 2D 是传统的平面封装方式，2.5D 是指将逻辑芯片和DRAM堆栈在硅载板上，为目前主流技术，但 2.5D 并非互相堆栈，DRAM带宽仍受到硅载板内横向走线的限制。

3D 技术则是藉由高端 TSV(硅穿孔) 技术，直接进行逻辑与DRAM异质芯片垂直迭合，可带来大幅度带宽增加，功耗减少，是未来技术发展必然方向，也极大机会逐渐取代 2.5D 成为行业主流，爱普与力晶一起携手下，将有新的技术突破。
 
另外，力晶向股东承诺，旗下力积电预计今年10月底、11月初登录兴柜，并规划于2021年挂牌上市。至于力晶与合肥市合资的合肥晶合12吋厂，晶合营运逐步上轨道，目前月产能2.2万片，产能满载，并损益两平，今年底月产能将扩产到3.5万片，并开始赚钱。