据韩媒报道，韩国研究团队已经开发出可以用于高堆叠3D NAND闪存芯片制造的新型铁电材料。这种材料比现有材料更薄，从而可以大大增加存储空间。此外，这种材料可以使用现有设备即可完成，因此可以使制造商减少设备投资。

报道称，该款材料通过在铝中添加氧化铪（HfO2），并进行快速淬火，从而使铁电材料性能最大化。

铁电材料是指具有两个或更多个电极化而没有从外部施加电场的材料。现有的3D NAND闪存芯片是由氧化物，氮化物和氧化物（ONO）组成的铁电材料制成的。

然而，随着堆叠层数的增加，厚度变得更厚，制造过程也会变得复杂，而原本的铁电材料层无法做到更薄，因此限制了闪存技术的发展。

采用新型铁电材料制成的NAND闪存可以稳定地写入和擦除信息超过100万次，此外，现有NAND闪存使用的薄膜厚度约为20 nm，但这种材料甚至可以在10 nm（纳米）以下实现，因此有望将其积极用于生产200层以上的超高级NAND闪存。