三星电子宣布业界首次成功测试3D IC封装技术X-Cube，基于7nm EUV或更先进的工艺，实现速度和能效的显著飞跃，以帮助满足下一代应用的严格性能要求，包括5G、人工智能、高性能计算以及移动和穿戴应用。

三星电子负责晶圆代工市场战略的高级副总裁Moonsoo Kang表示：“三星新的3D集成技术确保了TSV的可靠互连，即使在尖端的EUV工艺节点上也是如此，将致力于带来更多3D IC创新，推动半导体领域的发展。”

三星X-Cube全称是eXtended-Cube，其优势在于：

· 在7nm工艺节点，X-Cube测试芯片通过TSV技术将SRAM堆叠在逻辑芯片上，释放出更多的空间，以更小的占地面积封装更多的存储芯片；

· 客户还可以根据自己的要求调整存储带宽和密度，帮助芯片设计师灵活地构建，满足独特需求的定制解决方案；

· 通过3D集成，超薄封装设计显著缩短了模具之间的信号路径，最大限度地提高了数据传输速度和能源效率；

三星使用验证成功的量产基础架构，可以快速识别开发错误并缩短芯片开发周期。

三星X-Cube经过硅验证的设计方法和流程现在可用于包括7nm和5nm的先进工艺节点。在最初设计的基础上，三星计划继续与全球fabless客户合作，以促进在下一代高性能应用中部署3D IC解决方案。

三星的目标是在2030年坐稳全球晶圆代工第一宝座，2019年初首次批量生产基于EUV技术的7nm制程工艺后，更宣布在未来的十年里，在代工、逻辑芯片等业务上投资133兆韩元。由于不断扩大投资规模，三星在2020年Q2开始规模生产更先进的5nm EUV制造工艺芯片，并计划今年下半年在华城工厂开始批量生产。与此同时，三星在韩国平泽市也正在新建一条新的代工生产线，专注于基于EUV的5nm及以下工艺技术，预计将于2021年下半年全面投入生产。

在晶圆代工市场，目前三星与台积电仍有一定的差距，而未来2-3年里，7nm、5nm EUV工艺是关键技术，随着三星扩大投入，市场占有率差距将会不断缩小。