近日，磁存储开发厂商Ever spin宣布完成D轮融资，并已经建成全球第一座可以生产第二代MRAM的晶圆厂。消息显示，该轮融资来自现有的财务和战略伙伴，包括ARM和Applied Materials。

信息显示，ARM和Applied Materials在2019年就领导了Ever spin的B轮融资，ARM将从Spin Memory获得耐久性引擎授权，并用它来开发一系列嵌入式MRAM IP。该MRAM IP将替换SoC中的静态随机存取存储器（SRAM）。

论文资料显示，基于STT-MRAM(Spin Torque Transfer MRAM)的处理器相较于基于SRAM的处理器，能够实现更优异的性能、漏电情况也将得到改善。不过由于异构处理器复杂的BEOL结构，使得处理器芯片很难在二维结构上集成STT-MRAM，因此只能通过三维集成的方式实现。

数据显示，集成MRAM的一款RISC-V架构的处理器芯片与基于SRAM的二维芯片相比，单颗Die面积节省了17.55%，性能增长了34.74%，功耗降低了13.9%。

ARM物理设计组总经理Gus Yeung说，“像AI，5G，ADAS和IoT这样的技术，需要比现有的基于SRAM和eFlash的解决方案更小的功率和面积，这些要求引领行业重新思考芯片的开发方式 - 包括其内存IP内容。ARM与Spin Memory的合作旨在解决一个关键的设计挑战，并在SoC中实现更广泛的MRAM设计应用。”