日前，Lam Research发布ALD平台“ Striker FE”，可帮助实现下一代3D NAND所需的高纵横比芯片结构。

传统上，诸如CVD，扩散/热处理炉和旋压之类的传统工艺已被用作间隙填充技术，以在半导体制造中用绝缘膜嵌入深雕刻的凹槽，但是这些方法都使用了质量，收缩率和间隙填充技术。空隙之间的权衡限制了对下一代3D NAND的需求。为了解决这些问题，Lam Research通过使用自己的表面改性技术，可以实现自底向上和无空隙的优先填充，同时保持ALD特有的膜质量。在Striker FE中开发并安装了“ Striker ICE Fly技术”。

据介绍，该技术不仅可以解决实现3D NAND所需的高长宽比结构的需求，而且还可以解决下一代DRAM和逻辑过程中的问题。

Striker FE四工位模块结构

通过为Striker FE采用四工位模块结构，Lam Research提供了在单一处理系统中结合了形成高质量氧化膜和出色的间隙填充性能的平台。采用这一平台，即使在复杂的下一代半导体工艺中，也有可能实现高生产率。