据韩媒引述德国FRAM企业Ferroelectric Memory(FMC)公告，FMC近期募资2,000万美元，投资者包含SK海力士、Robert Bosch Venture Capital、MVentures、imec.xpand等，并计划将募集资金投入FRAM研究中，事业版图未来可望进军美国、亚洲等国际市场。

FRAM具有低耗能、非挥发、半永久特性，即使不供电储存资料也不会消失，且结构简单，被外界认为是替代DRAM、NAND的新兴产品，但目前碍于材料、集成度等问题仍难商用化。

若将FRAM与同为非挥发性存储器的串行电子抹除式可复写唯读存储器(EEPROM) 比较，FRAM耗电量仅EEPROM的1%，FRAM的低耗能优势，有望广泛用于汽车、健康护理等领域。

FMC于2016年创立，创办人拥有奇梦达(Qimonda)背景，具制造新兴存储器FRAM的二氧化铪(HfO2)技术。特别是物联网(IoT)时代将使用多种传感器搜集庞大数据，让低耗能的FRAM在IoT领域格外受关注，因此外界期待SK海力士通过此次投资加强存储器研发竞争力。