为了同时兼具DRAM的高性能以及NAND Flash的非易失性，各大科研院所以及企业早已布局下一代存储设备研发，当然，三星、SK海力士也是其中的一员。

近日，韩国科学技术研究院（KIST）宣布，自旋收敛研究小组的金敬焕博士团队提出了下一代存储器件自旋存储器件的新原理，并提出了不同于现有范例的新应用可能性。

自旋存储设备是一种在非常小的纳米磁体的N和S极方向上存储0和1信息的设备。由于即使切断电源也能保持N极和S极的方向，因此被广泛用于硬盘中。沿着纳米磁铁的N极和S极方向控制它的速度和便捷程度决定了下一代自旋存储器的商业化。

三星电子和SK海力士正在开发M-RAM技术，该技术利用磁场的拉力和推力来处理数据。金敬焕博士的研究有望加速M-RAM的大规模生产和商业化。该研究已经得到了信息和通信技术部的支持，并执行了KIST重大项目和韩国研究基金会的新兴研究支持项目。