据韩媒报道，SK海力士宣布在下一代相变存储器（PRAM）中采用PUC（peri under cell）技术。

PRAM结合了DRAM和NAND Flash的优势。SK海力士团队负责人Lee Hyung-dong表示，该公司已在其PRAM中应用了PUC和一种指定的算法，使产品在性能和成本上具有竞争力。

Lee Hyung-dong表示，该公司的PRAM技术在成本，密度和存储容量方面的竞争力得到了提高。PRAM可用于数据中心和神经形态计算。

PUC技术将外围电路放在存储单元的下方，以减少芯片尺寸，提高生产率。Lee Hyung-dong表示，与10nm以下的存储器相比，PRAM在扩展方面的限制较少。

目前，在相变存储器方面，英特尔的Optane技术最为成熟，也是唯一实现产品化的产品，如今英特尔相继售出其存储业务，却唯独留下了Optane技术，可见其对其仍寄予厚望，业内更是认为相变存储更适合在数据中心领域使用。

SK海力士宣布其在相变存储器方面技术进展，意味着其已经在该领域投入了较大的研发资源，虽然目前仍未实现量产，但是也表示其认为该技术有较大的技术前景，后续随着技术日渐成熟，或有希望与英特尔Optane一较高下。