据韩媒报道，三星电子近日表示计划扩大磁存储（MRAM）应用领域到汽车、可穿戴、图形存储器、缓存、物联网和人工智能等领域。

MRAM是一类新型存储技术，三星多年来一直致力于MRAM，并于2019年中开始批量生产其首个采用28nm FD-SOI工艺制造的商业MRAM解决方案，然而该方案容量十分有限。

MRAM有何不同之处？

与DRAM不同，MRAM为非易失性存储解决方案，由两层铁磁膜组成的磁存储单元来存储数据。此外，MRAM的速度非常快，约为30-50ns，并且可以比NAND Flash快1000倍，这是由于MRAM在写入数据之前不必进行擦除动作，因此相较NAND Flash所需的能耗也更低。

相较于NAND Flash，MRAM当前最大的弱点在于其存储容量较低，因此，其可能更适合应用在利基型市场。

三星表示，MRAM的芯片尺寸为0.08mm2 / M bit，相较于采用相同工艺制造的SRAM的尺寸缩小了40%。

对于MRAM市场前景，三星表示十分看好，到2024年，全球MRAM市场预计将达到12亿美元。