据韩媒报导，NextIn Solutions与英特尔合作，已成功开发了3D检查系统。这是业界开发的第一个半导体晶圆检查系统，并且有望在快速检查多层半导体方面非常有帮助。业内人士预测，英特尔可能会将NextIn的检查系统用于Optane生产线。

NextIn最近在“ SPIE会议”上推出了一种称为“ NIR（近红外）TSOM（透焦扫描光学显微镜）3D存储检查系统”的高级检查系统。这一系统的主要功能是为了检查垂直堆叠信息存储空间的3D存储器晶圆（例如3D NAND）。

随着存储原厂相继推出17×甚至更多层NAND闪存，已经很难检测位于该层最底部的各种粒子和故障电路，这可能导致较差的晶片生产率和良率。NextIn总裁朴泰勋表示：“如果2D设备类似于一个独栋别墅，3D设备就像超高层公寓。NIR TSOM技术就像在一个花园中找到一个垃圾一样，该花园位于空中许多高大公寓之间的地面上。”NextIn和英特尔通过NIR TSOM技术找到了解决方案。检查完成蚀刻工艺的晶片的方法与照相原理相似。

当前，主要是通过聚焦（聚焦）在需要检查的每个区域上并拍摄该区域的图片来检测缺陷。但是，NIR TSOM技术有意地拍摄了许多散焦的图片，并将这些图片聚集到一个地方，以便将可接受的产品与缺陷区分开。尽管一张图片可能看起来晦涩难懂，但收集多张图片并选择一个常见缺陷可以导致更快，更准确的检查。该技术也不需要单独的比较模型。

该技术采用近红外作为光源。NIR的波长比当前用于检查系统的UV的波长长。尽管由于分辨率相对较低，NIR产生的图像不太清晰，但是NIR的长波长却使其能够深入存储晶圆内部并进行检查。