英飞凌推出其第二代非易失性静态RAM（nvSRAM），新一代设备符合QML-Q和高可靠性工业规范的要求，可在苛刻的环境（包括航空航天和工业应用）中支持要求苛刻的非易失性代码存储和数据记录应用。

256 kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM符合32引脚300密耳双列直插式陶瓷封装的要求，适用于MIL-PRF-38535 QML-Q规格（-55°C至125°C）和英飞凌的工业标准（-40 °C至85°C）。5 V和3 V版本均支持引导代码，航空航天，通信和导航系统以及工业炉和铁路控制系统的数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售服务，以支持封装解决方案中的系统。

英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与同类最佳的SONOS非易失性技术结合在一起。在正常工作条件下，nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。发生电源故障时，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。英飞凌已出货超过20亿个基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。