据韩媒报道，半导体设备厂商Lam Research正在与SK海力士合作通过提升干式光刻胶技术提升极紫外 (EUV) 曝光效率从而提高DRAM生产效率。

此前，Lam Research与ASML和比利时半导体研究所Imec合作开发了干式光刻胶技术。近日，Lam Research宣布将向SK海力士提供干式光刻胶底层和干式显影工艺设备。

光刻胶是用于半导体曝光工艺的光敏剂，应用它并发光后，在晶片上雕刻电路图案。过去，半导体制造商一直在使用液体光刻胶。

Lam Research等开发的干式光刻胶通过诸如化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)之类的操作形成薄膜。该技术有望提高EUV工艺分辨率并降低成本。

据Lam Research称，由于干式光刻胶技术使用的原材料比湿法光刻胶少5到10倍，并且可以减少照射的光量，因此很容易降低成本。