三星电子将于明年开始量产第 5 代 (1b) 10 纳米级 DRAM。与目前的第 4 代相比，通过减小尺寸和提高性能，它们将巩固其在内存领域的第一地位。三星电子还将开发 1000 层 NAND，并在 2030 年前提供集成系统半导体解决方案。

三星电子公布了 DRAM 和 V-NAND 等下一代产品的路线图，并宣布他们将于明年量产第 5 代 (1b) 10 纳米级 DRAM。业界估计第 5 代 DRAM 将采用11~12nm 工艺制造。三星电子计划通过包括高 k 金属栅极 (HKMG) 和下一代产品结构在内的新工艺来克服工艺小型化的限制。

三星电子还宣布计划通过推出下一代产品来引领高端 DRAM 市场，例如用于数据中心的 32Gb DDR5 DRAM、用于移动设备的 8.5Gbps LPDDR5X DRAM 和用于图形的 36Gbps GDDR7 DRAM。

三星电子还发布了第8代V-NAND 512Tb TLC产品，与第7代相比，单位面积存储位数提高了42%。三星电子将在今年内发布全球容量最高的第 8 代 V-NAND 1Tb TLC 产品。他们还提出了到 2024 年量产第 9 代 V-NAND 并到 2030 年开发 1000 层 V-NAND 的计划。

三星电子正在扩展 QLC 生态系统，每个单元有 4 个信息存储，以响应对包括数据中心和人工智能 (AI) 在内的大容量数据的需求。提高了能源效率，并有助于客户公司的环保管理。

三星电子存储事业部负责人（总裁）Jung-bae Lee 表示：“三星电子过去 40 年创造的存储芯片总存储容量已超过 1 万亿 GB，其中一半是在过去三年。这个统计数据让我们感受到了数字化转型。我们将通过高带宽、大容量和高效率的存储与各种平台一起演进。”

三星电子还宣布了到 2025 年实现汽车存储市场第一的目标：将提供包括自动驾驶、高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和车载信息娱乐 (IVI) 在内的最佳内存解决方案，同时还将提供下一代新一代解决方案，满足对 LPDDR5X 和 GDDR7 等高性能内存的需求。

三星电子将开设“三星存储研究中心（SMRC）”，供客户开发和评估下一代存储解决方案，并与红帽和谷歌云合作。从今年第四季度在韩国开始，SMRC将在美国和其他国家按顺序扩展。