美国半导体设备巨头KLA宣布推出革命性的Axion T2000 X射线测量系统，供先进的存储芯片制造商使用。3D NAND及DRAM芯片的制造包含极高结构的精密构造，具有深层、狭窄的孔洞和间隙，以及其他复杂精细的建构形状：这些都需要控制在纳米尺度的等级。

Axion T2000具有可增强其测量高长宽比设备的专利技术，具备高分辨率、准确度、精确度和速度组合。Axion T2000通过发现能影响存储芯片效能的微小形状异常，有助于确保成功生产用于如5G、人工智能、数据中心和边缘运算等应用的存储芯片。

KLA半导体制程控制业务事业单位总裁艾哈迈德·汗(Ahmad Khan)表示，新型Axion T2000 X射线测量系统是先进的3D NAND和DRAM中，制程控制规则的改变者。Axion T2000使用穿透式X射线技术，可可视化到100:1或更高长宽比的3D结构。

从这些极端垂直结构的顶部到最底部，Axion数据可使制程里的关键参数提供更严格控制，例如宽度、外形和倾斜度。此外，通过产在线实时测量，Axion还可在大批量生产存储芯片时，在解决良率和可靠性问题时，可缩短所需的产品周期时间。

Axion T2000是一款CD-SAXS（关键尺寸小角度X射线散射）系统，可利用独特的X射线技术，对存储设备的关键尺寸和3D外形进行高分辨率的测量。高通量光源可提供X射线在整个垂直存储结构中传导 ，无论其现今结构的高度，或未来更高的结构，均可进行测量。

Axion T2000具备领先业界的测量范围，能协助在多个角度获取衍射影像，提供丰富的3D几何信息。先进的AcuShape算法，可测量许多关键设备制程参数以及微小变异的侦测，能影响存储芯片的最终功能。根据以上的创新技术，Axion T2000能以非破坏性的方式，协助存储制造商优化、监测和控制在线制程步骤所需的测量数据。

目前已有多套系统在顶尖的存储制造商中运转，Axion T2000加入KLA的先进测量系统家族，为3D NAND和DRAM制造商提供复杂制程参数的精确测量。