东芯股份披露最新调研纪要称，公司的SLC NAND Flash在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充 SLC NAND Flash 产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。

先进制程的1xnm NAND Flash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。

NOR Flash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash产品都已有样品可提供给客户。

此外，公司在中芯国际的NOR Flash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。