据韩媒报道，韩美半导体正在开发一种名为“New Dual TC Bonder”的新设备，对于制造 HBM 等高性能三维 (3D) 存储器至关重要。该设备目前正处于最后的开发阶段，预计将于今年下半年发布。

HBM是一种用于人工智能（AI）的高性能存储器，通过垂直连接多个 DRAM，与传统 DRAM 相比，显着提高了数据处理速度，其需求随着图形处理单元（GPU）的增长而迅速增长。

韩美半导体之所以将其命名为“New Dual TC Bonder”，是因为它是第二代设备，因为与目前市场上供应的第一代设备相比，显著提高了生产率和精度。