据韩媒报道，三星电子预测，V-NAND堆叠竞争将持续到1000层或更多。1000层NAND将于2030年出现。V-NAND 最初仅24 层，在过去10年里已经发展到超过 200 层。

V-NAND是三星电子于 2013 年首次实现商业化的三维 (3D) NAND 闪存半导体。虽然东芝首次开发了NAND​​，但据评价三星电子生产的V-NAND成为普及的催化剂。目前生产的大多数NAND闪存都遵循V-NAND结构。

为了构建1000层以上的NAND，还有很多功课要做，比如实现稳定性，即使像建筑物一样层数增加时也不会倒塌、弯曲或断裂。