据韩媒报道，SK海力士在近期的投资者活动日中强调到，他们的HBM拥有比三星和美光更好的技术优势，他们已开发出不同于竞争对手的封装技术（MR-MUF）并以长期独家的方式从合作伙伴那里获得关键材料。SK海力士认为，MR-MUF封装技术将有效保持其计划于明年发布的第五代HBM3E的市场竞争力，超越目前已量产的第四代产品HBM3。

MR-MUF封装是当芯片附着到电路上并向上堆叠时，用一种称为EMC的材料填充芯片之间的空间的工艺。此前使用的是NCF非导电膜技术，NCF是一种在芯片之间使用一种薄膜来堆叠芯片的方法。

MR-MUF封装对HBM芯片的外部结构有重大影响。SK海力士在堆叠12层HBM3时，使用MR-MUF封装可以将堆叠的DRAM数量从8个（16GB）增加到12个，从而令整体容量增加了约50%。因此，SK海力士也推出了目前最高容量的24GB HBM。

为了在保持芯片厚度的同时增加容量（堆叠数量），DRAM芯片必须减薄40%，并一层一层向上堆叠，然而这会导致较薄的芯片容易弯曲。据了解，MR-MUF封装对于防止这种情况并保持芯片的厚度是十分必要的。

HBM相关市场预计每年增长40%以上，SK海力士、三星和美光之间的竞争将会非常激烈。