据韩媒报道，业界人士透露，三星电子在其第9代V-NAND金属布线工艺中首次使用了钼。目前三星已引进了5台 Lam Research 钼沉积设备，明年还将引进约20台设备。

三星电子在金属布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的“电阻率”。通过提高电阻率，NAND可以堆叠得更高。材料行业人士表示，“目前已经达到了通过钨可以降低层高的极限，但通过使用钼，可以再降低30%至40%。”此外，在NAND金属布线工艺中使用钼，可将延时减少30%-40%。

据悉，除三星电子外，SK海力士、美光、铠侠等也在考虑将钼应用到NAND Flash。

此外，三星电子也在考虑将低温蚀刻等各种新技术应用于下一代NAND的开发。与现有的蚀刻工艺（在0℃至30℃下进行）不同，低温蚀刻工艺根据冷却器温度在-70℃下进行，其优点是可以将NAND通道孔刻蚀速度提高三倍以上。