Lam Research推出新一代刻蚀设备“Akara”，以满足下一代半导体制造工艺对高难度蚀刻技术的需求。

据Lam Research介绍，刻蚀技术是突破半导体微细化极限的关键要素，尤其是在GAA、4F² DRAM、3D DRAM等垂直结构工艺中，刻蚀技术已不再是一种可有可无的选项，而是一种必需品。

Akara能够实现高达 200:1 的纵横比，这是迄今为止最高的蚀刻性能，能够在不损伤晶圆的情况下实现高效蚀刻。Lam Research计划通过Akara进军下一代半导体市场，目前其已被主要客户用于下一代DRAM和GAA代工工艺，并正在导入研发和量产线。

就DRAM而言，预计Akara不仅将应用于下一代产品第7代10nm级（1d）DRAM，还将应用于具有新单元结构的DRAM，例如VCT（垂直通道晶体管）。此外，预计来自3D DRAM的需求也将大幅增长。因为这两种技术都需要精密且深度的蚀刻技术。

Akara已向主要代工客户供货，并预计将参与台积电和三星电子等下一代工艺的验证。