据韩媒ddaily引述半导体业界消息人士透露，SK海力士将在HBM3E为核心的生产线效率化完成后，具体制定为引进1c DRAM工艺的设施调整和设备部署计划。

报道称，SK海力士内部正在制定工艺小型化战略，以增加1c DRAM过渡阶段的EUV（极紫外）曝光工艺层数，并考虑重新调整设备配置，以提高光刻、蚀刻和清洗等核心设备的精度。这被解读为对现有生产线的一部分进行重组，使其专注于HBM和高性能服务器DRAM的生产，而不仅仅是简单地扩大产能。

1c DRAM工艺是10nm级第六代工艺节点，可进一步缩小电路线宽并提高电源效率。与现有的1b DRAM工艺相比，预计1c DRAM工艺将提高生产良率和速度，同时降低成本。

SK海力士已于2024年8月宣布成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM。目前，SK海力士正全力以赴地为量产做准备。业界普遍认为，EUV多层光刻技术和工艺简化相结合，将是提升1c DRAM工艺竞争力的关键。

1c DRAM工艺并非简单的技术更迭，而是HBM4E和AI服务器DRAM的基础平台节点。由于HBM采用多个DRAM芯片垂直堆叠的结构，单个DRAM芯片的速度和能效将决定整体性能。1c DRAM工艺能够在这种结构下同时实现节能和速度提升，因此被认为是HBM4E的最佳节点。

目前，SK海力士已建立HBM4的量产体系，并与主要客户完成了供货谈判，计划从2026年开始陆续推出8层、12层和16层HBM4E以及定制HBM4E。相应地，基于1c DRAM工艺的DRAM量产预计也将在同一时期正式启动。