2月12日，三星电子宣布，其HBM4已抢先开始量产，并向客户交付商用产品。三星采用12层堆叠技术，提供容量从24GB到36GB的HBM4固态硬盘。该公司还将通过采用16层堆叠技术，将容量选择扩展至最高48GB，以满足客户未来的需求。

三星的HBM4积极利用其最先进的第六代10纳米 (nm) 级 DRAM 工艺 (1c)，可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度，比业界标准的8Gbps提升约46%，树立了HBM4性能的新标杆。这比其前代产品HBM3E的最高引脚速度9.6Gbps提升了1.22倍。HBM4的性能还可以进一步提升至13Gbps，有效缓解随着AI模型规模不断扩大而日益严重的数据瓶颈问题。

此外，与HBM3E相比，每个堆栈的总内存带宽提高了2.7倍，最高可达每秒3.3太字节 (TB/s)；HBM4通过采用低电压硅通孔（TSV）技术和电源分配网络（PDN）优化，实现了40%的能效提升，同时热阻降低了10%，散热能力提高了30%。

三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上，并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后，HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。