三星电子宣布，已开始向全球主要客户交付业界首款12层堆叠的HBM4E样品。

继今年早些时候率先实现HBM4的大规模量产与商用交付后，三星再次拓展其HBM产品路线图。此次推出的HBM4E样品，正是为了满足人工智能（AI）计算与超大规模基础设施对高端存储日益激增的严苛需求。

性能与容量双重飞跃，专为下一代AI打造

作为HBM4的迭代升级产品，HBM4E在性能、容量、能效与散热方面均实现了大幅跨越，专为大语言模型（LLM）、生成式AI及高性能计算场景量身打造：

极速带宽： HBM4E可提供稳定的14Gbps引脚传输速度，性能最高可扩展至16Gbps，单堆栈内存带宽高达3.6TB/s。与上一代HBM4相比，整体性能提升超过20%，能最大程度释放下一代AI系统的计算潜能。

超大容量： 此次交付的12层HBM4E容量达到48GB，较上一代产品增加了30%以上。此外，三星还计划根据客户的多样化需求，后续推出32GB（8层）和64GB（16层）的配置版本。

依托全产业链优势，能效与散热显著优化

HBM4E的卓越表现，得益于三星在半导体领域的综合技术实力。该产品沿用了经过HBM4量产验证的尖端工艺，即业界最先进的第六代10纳米级DRAM工艺（1c工艺），并搭配三星晶圆代工的4纳米逻辑基底晶圆（Base Die），从而确保了极高的工艺稳定性和可制造性。

通过在存储和逻辑架构上的设计与工艺优化，HBM4E在能效和散热方面同样表现出色：

更低功耗： 采用先进的低功耗设计技术，能效较上一代提升了16%。

更好散热： 优化的封装结构使热阻特性改善了14%以上，散热效率显著增强。

这些改进意味着在高负载的下一代数据中心中，HBM4E能够保持更长时间的稳定运行，同时大幅降低整体能耗。

市场反响热烈，量产计划稳步推进

据悉，自今年2月率先量产HBM4以来，三星收到的全球客户反馈极为积极，尤其是在性能和能效方面。随着HBM4稳定供应的持续扩大，采用相同核心与基底晶圆组合的HBM4E预计将加速进入量产阶段。

三星方面透露，在完成首批样品的交付与优化工作后，将根据客户的实际进度安排，正式启动HBM4E的大规模量产，为AI市场提供稳定且强大的半导体供应保障。