应用材料公司宣布推出两款全新芯片制造系统——Centris Spectral SiN ALD与Producer Selectra Mo Etch。这两款新设备专为应对先进半导体制造中日益严峻的工艺挑战而生，旨在解决高深宽比3D结构中的精密加工难题，助力芯片制造商在逻辑芯片和存储芯片领域持续实现3D微缩，为下一代AI芯片带来更高性能、更佳能效及更优良率。

随着AI算力需求的激增，半导体行业正加速向全环绕栅极（GAA）晶体管和高堆叠层数3D NAND等先进三维器件架构转型。然而，当这些垂直结构的特征变得更深、更窄时，传统的沉积与蚀刻工艺往往难以实现从顶部到底部的材料均匀分布。这种工艺变异性不仅会削弱器件的电学性能，还会导致生产良率下降。

针对这一痛点，应用材料此次推出的两套系统形成了互补的解决方案：前者专注于介电薄膜的沉积，后者则聚焦于金属的选择性去除。两者结合，使芯片制造商能够在极高深宽比的结构中对介电薄膜沉积和金属去除进行精准控制，从而在先进节点上实现更均匀的材料工程，提升器件性能和可制造性。

在具体的技术突破上，Centris Spectral SiN ALD 专门针对极具挑战性的3D结构提供了均匀的氮化硅（SiN）薄膜沉积方案。氮化硅是芯片制造中的基础功能材料，广泛应用于表面钝化、介质隔离及光刻侧墙制备等关键工序。传统等离子体增强沉积在处理高深宽比结构时容易导致薄膜质量不佳。而该新系统采用了创新的高密度微波等离子体技术，成功消除了传统方法中等离子体密度与离子诱导损伤之间的权衡问题，能够在低温下实现致密且均匀的氮化硅沉积。例如，在GAA晶体管中，该系统可用于形成高品质的接触层衬底，有效降低关键界面的电阻与电容，从而加快器件运行速度。

另一款 Producer Selectra Mo Etch 则为3D NAND闪存的进一步堆叠扫清了障碍。随着3D NAND向更高层数演进，低电阻金属钼（Mo）被广泛引入字线金属化工艺中，这要求对各个字线之间进行精准的物理隔离以防止短路。传统的湿法蚀刻在处理当今高耸的3D堆叠结构时，由于液体化学试剂难以触及高深宽比特征的底部，往往会导致“上厚下薄”的刻蚀轮廓，严重限制了器件性能和可扩展性。Producer Selectra Mo Etch通过精密的制程控制和先进的气体输送技术，实现了高度选择性的金属去除，克服了湿法蚀刻的局限，在整个堆叠结构中实现了卓越的自上而下均匀性和严格的轮廓精度。目前，该系统已在大批量量产中得到验证，能有效缩小3D NAND单元间的性能差异并降低漏电。