据韩媒报道，三星电子正在开发将NAND闪存与Compute Express Link（CXL）模块相结合的产品，目前正在推进研发，目标在2027年实现商业化。

目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模块（CMM）-D，三星提出的下一代CXL解决方案，是考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构---CMM-Hybrid（H），在基于 DRAM 的模块中添加 NAND 的优势在于它可以增加存储容量。

三星电子存储事业部DRAM设计团队大师孙教民表示，专注于容量的 CXL 是一种新兴的解决方案，三星正在实验室中对各种形式的内存进行研发。