据业界消息，Intel将与软银合作，共同开发一种可取代HBM的堆叠式DRAM解决方案。

双方计划通过堆叠DRAM芯片并优化连接方式，新方案有望实现至少大一倍的存储容量，同时将耗电量减少40%，并大幅降低成本。目标是在2027年前完成原型设计，并评估量产可行性，力争在2030年前实现商业化。

消息称，软银与英特尔共同成立了一家名为Saimemory的新公司，主导低功耗AI用存储的开发专案。该司将于今年7月开始运营，负责设计新型存储产品，量产则交由晶圆代工厂。成功量产后，预计将优先供应经营AI数据中心的软银。