据韩媒报道，三星电子计划自2026年3月起建设V10 NAND生产线。按照规划，将于3月引进设备，上半年内完成产线搭建，经过试生产和稳定性测试后，于10月启动正式量产。相关投资计划预计在今年下半年正式启动。

报道称，这是三星电子首次明确披露V10 NAND的量产计划。此前有观测认为三星将在今年量产V10，但三星最终将商用化时点定在2026年。

为提升存储容量，NAND闪存技术发展路线是通过垂直堆叠存储单元实现。目前三星最高堆叠层数的产品是286层V9 NAND，自去年开始量产。V10在V9基础上增加100+层，据悉达到430层。

三星电子在国际固态电路会议(ISSCC)公布的规格显示：以TLC标准计算的存储密度达28Gb/mm²，较前代提升56%；输入输出接口速度5.6GT/s，提升75%。性能的大幅跃升使其有望与明年商用的PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。

据悉，V10因堆叠层数增加将应用多项新技术：

首次采用超低温（-70℃以下）蚀刻设备打孔技术，用于垂直堆叠存储单元间的数据传输通道加工，目前正评估应用泛林集团和TEL设备。

区别于前代产品在单一晶圆制造的方式，创新采用"混合封装"技术——将存储数据的"单元"与驱动电路的"外围"分别制作在不同晶圆后接合，该技术被称为"晶圆对晶圆(W2W)键合"

三星预计将采用性能升级的V10产品，重点开发用于数据中心的eSSD。

三星电子相关负责人就V10投资及量产计划表示："正按内部规划推进，但具体细节无法确认。"

另据韩媒报道，有消息称，三星高层正就平泽P5工厂的复工建设及投资计划展开密集讨论，部分人员已进驻现场开展建材整理工作，实质性地推进复工准备。预计重型施工设备最快将于10月全面进场。

P5工厂是三星DS部门在平泽园区建设的第五座半导体工厂，长约650米、宽约195米，预计总投资将超过30万亿韩元，规划为综合型晶圆厂，同时容纳DRAM、NAND闪存及晶圆代工生产线。