NEO Semiconductor宣布，其新一代存储技术3D X-DRAM已完成概念验证（POC），并已获得由宏碁创办人施振荣领军的策略性投资。

POC测试芯片表明，3D X-DRAM可利用现有的3D NAND基础设施制造，包括成熟的设备、材料和经济高效的工艺。鉴于目前3D NAND的量产层数已超过300层，这些结果为下一代高密度3D DRAM铺平了道路，同时验证了其优异的电气性能和可靠性。POC测试的主要结果包括：

• 读/写延迟：<10 纳秒

• 数据保持时间：85°C 下 >1 秒（比 64 毫秒 JEDEC 标准好 15 倍）

• 比特线干扰：在 85°C 下持续时间 >1 秒

• 字线干扰：在 85°C 时 >1 秒

• 耐力：>10¹⁴次循环

3D X-DRAM采用存储单元垂直整合架构，突破传统存储容量扩展限制。该技术有望应用于HBM、DDR以及AI与HPC等领域。

NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示，这些结果验证了DRAM的全新扩展路径。相信这项技术能够显著提高密度、降低成本并提升能效，从而为人工智能时代带来变革。NEO正积极与全球领先的存储器和半导体公司探讨潜在的合作开发机会，希望通过可扩展的许可和合作模式，将下一代人工智能存储器解决方案推向市场。