三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)2014年第2季DRAM与NAND Flash出货量皆超乎其上季预期，使南韩整体存储器产值不仅持续较前季成长，再度突破10兆韩元大关，更超越2010年第3季新高记录10.5兆韩元，站上10.73兆韩元(约105亿美元)。

三星第2季DRAM出货量较上季增加20%左右，DRAM市场价格表现又优于NAND Flash，相反地，SK海力士对NAND Flash倚重度提升，使SK海力士整体存储器营收降至三星存储器事业的55%，较前季减少2.6个百分点。而三星DRAM出货量大增，也使南韩DRAM产值占存储器比重创2011年第1季以来新高。

获利方面，DIGITIMES Research认为SK海力士为拉升NAND Flash出货量，不惜压低报价，为其营益率略低于前季的主因。三星则受非存储器事业部亏损扩大拖累，使其半导体事业营益率不仅持续低于SK海力士，且双方差距较前季略微扩大。

展望2014年第3季，DIGITIMES Research认为无论PC、智能型手机及平板电脑需求皆将增温，将带动上游存储器拉货需求，加上存储器合约价可望上扬，南韩存储器厂商营运较前季成长的机率大。