三星、东芝在NAND上的较量不曾停歇
Helan 2014-09-17 15:37近几年智能型手机、平板计算机市场规模持续扩大，再加上SSD需求持续升温，对NAND Flash需求日益高涨，东芝社长田中久雄曾表示，NAND Flash在2020年的全球市场规模将是2013年的10倍。三星、东芝在供应NAND Flash上排名第一、第二的厂商，在技术、营收市占、投产上的竞争不可避免，而且非常激烈。
2014下半年NAND Flash纳米制程技术开始进入1Znm（12-15nm）时代，2D NAND Flash理论工艺在8nm，基本可量产的极限工艺是12nm。纳米制程技术即将面临工艺极限的挑战，预料3D NAND技术将成兵家必争之地。除了三星电子(Samsung Electronics)已开始量产3D NAND外，东芝(Toshiba)，SK海力士(SK Hynix)、美光等也已纷纷投入研发。业界人士估计，3D NAND Flash堆栈层可在几年内冲上100层。
在3D NAND产品规划上，三星电子技术最为先进，已从2013年起开始生产，今年5月推出业界首见V-NAND技术堆栈32层，高于前代的24层，部分业界专家预估三星可能已经完成48层堆栈的原型技术。另外，三星新建的中国西安厂已正式启用，正是为3D VNAND产品投产而用，西安封装测试厂也预计在今年底以前完工。
另据BusinessKorea 16日报导，三星电子最近完成14.3吋奈米NAND flash的研发，将微缩制程目标改为14.2吋。2000年中期以来，NAND flash制程从40奈米一路降至16奈米，业界专家认为14奈米将是微缩制程极限，因为10奈米NAND flash技术上虽然可行，可是所需的设备投资过高，就算生产也难以获利。
东芝也大举增加对3D NAND投资，正计划生产40-70层的NAND芯片，预计在2016年开始量产，而改建后的新工厂预计在2015年完工，将配合3D NAND芯片的投产计划，预定将投资至少2,000亿日圆。在纳米制程技术方面，东芝已于今年4月小量生产15nm NAND Flash，日前宣布刚建成的Fab 5 2期工程已从9月开始采用最先端15nm制程技术量产NAND Flash产品，并将在9月底开始进行出货。
在营收市占上，东芝NAND事业带来大量营收，2013年的全球市占第二，仅次于三星电子，据美国市调机构HIS Global调查显示，全球NAND Flash 2014年4~6月市占，东芝(东芝+Sandisk)甚至超过三星，位居首位。对于NAND Flash的未来策略，东芝社长田中久雄表示，目标是营业收益超过2,000亿日圆(约18.7亿美元)，未来将通过先进的纳米工艺技术和3D NAND提高产品竞争力，提高营收额。
对于3D NAND对市场的影响，有分析师指出，三星的3D制程NAND Flash生产成本较高，产品良率也低，因此短时间内市场影响力有限。不过，随着东芝、美光、SK Hynix等厂商的陆续加入，3D NAND Flash制程精进，Flash容量将很快超过现行容量的数倍，根据IHS iSuppli的预估，2017年3D NAND将占整体闪存出货量的65.7%，传统制程产品将无可与之抵抗。
